技术编号:6951994
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体器件的制作方法及装置,尤其涉及一种沟渠双扩散金属氧化半导体的制作方法及装置。背景技术科技水平的飞速发展,电子和半导体技术也得到迅猛发展。采用半导体技术所制造的电子元器件大量的应用在通信、办公、商务等领域,如计算机、移动电话、电视机等。随着经济的发展,上述领域对电子元器件的需求不断增加,也产生了希望这些产品能够变得更小、更易于携带等需求、机动更加灵活。由于这些产品的尺寸要不断减小,构成这些产品的元器件也必须变小。那相应的集成电路尺寸、晶体...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。