技术编号:6952034
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种功率金氧半场效应晶体管(Power M0SFET)的布局结构,尤指一种借助于栅极结构的布局,得以在相同面积下增加功率晶体管通道宽度的布局结构。背景技术在设计电源转换器(DC-DC)、低压差(LDO)稳压器、切换式稳压器(switching Regulator)及充电器(charger)等的电压转换电路时,其所使用的功率金氧半场效应晶体管(Power M0SFET)考虑到压差电压(dropoutvoltage)、漏极至源极电阻(Rdson)及输出电流(o...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。