技术编号:6952168
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域,特别涉及。 背景技术在超大规模集成电路的制造过程中,需要把独立的不同类别的器件加以隔 离(isolation)。通常隔离技术基本上分两种,一种称之为局部氧化隔离技术(Local oxidation of silicon ;L0C0S),这个技术已经逐渐无法满足目前的工艺。第二种,是浅沟 槽隔离(Shallow Trench Isolation ;STI)的元件隔离技术。在0. 25微米以下,这个技 术都已经广泛的应用。在浅沟槽隔离...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。