技术编号：6952174
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造，特别涉及一种。背景技术目前，在半导体制造工艺中，多个工序需要对半导体器件进行离子注入，例如离子注入多晶硅层，离子注入形成源漏极等，每个工序中离子注入的能量是不同的，而且离子注入时只需要在预定的位置进行注入，其他位置需要用光阻胶进行覆盖，以防止离子的注入损伤器件的功能。光阻胶的厚度不同，对离子注入的阻挡能力是不同的，如果光阻胶太薄， 则很容易被离子击穿，无法达到保护的目的；如果光阻胶大厚，对所述光阻胶进行曝光显影时，很难控制⑶。所以选择...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。