技术编号：6952238
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及晶体管结构，具体涉及一种沟槽型垂直双扩散晶体管结构，属于半导体。背景技术在半导体集成电路中，以双扩散MOS晶体管为基础的电路，简称DM0S，利用两种杂质原子的侧向扩散速度差，形成自对准的亚微米沟道，可以达到很高的工作频率和速度。与普通MOS晶体管相比，DMOS在结构上有两个主要区别一是将P型、N型杂质通过同一氧化层窗口顺次扩散，形成很短的沟道；二是在沟道与漏区之间加入一个轻掺杂的 N-漂移区，其掺杂浓度远小于沟道区。这个区承受大部分所加的漏电压，...
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