技术编号:6952378
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于碳基集成电路制造,具体涉及一种石墨烯基场效应晶体管的 制备方法,特别涉及一种适用于石墨烯基器件例如场效应管、存储单元纳米制备的纳米光 刻方法。背景技术根据摩尔定律,芯片的集成度每18个月至2年提高一倍,即加工线宽缩小一半。硅 材料的加工极限一般认为是10纳米线宽,硅基集成电路在11纳米后无法突破其物理局限 包括电流传输损耗,量子效应,热效应等,因此很难生产出性能稳定、集成度更高的产品。随 着半导体技术的不断发展,硅基集成电路器件尺寸距离其物理极限...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。