技术编号:6952428
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明的总的构思的示例实施方式涉及半导体器件中的图案结构以及形成半导 体器件中的图案结构的方法。更特别地,本发明的总的构思的示例实施方式涉及包括焊 垫的图案结构以及形成包括焊垫的图案结构的方法。背景技术在制造半导体器件的常规方法中,非常难以准确地形成具有约40nm以下宽度的 微小图案。为了形成这样的微小图案,通常使用二次构图方法。在二次构图方法中,间 隔物形成层形成在通过光刻工艺形成的图案上,然后使用间隔物形成层作为蚀刻掩模能 够获得微小图案。然而,通过二...
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