技术编号:6952450
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及微纳,特别涉及一种。本发明提 出了一种采用侧墙工艺、湿法腐蚀方法制备平面相变存储器的方法。该方法尽量避免使用 电子束曝光的成本高、周期长的不足,制备方法简单,可控性好,在突破光刻分辨率限制及 提高平面相变存储器的制备效率等方面具有很大的优越性。背景技术存储器自问世以来,在半导体产业中占着越来越重要的地位。全球的半导体市场 中,存储器占有80 %的份额。而且随着信息化产业的不断发展和需求,存储器的发展也在发 生着日新月异的变化。存储器按其存储特性可...
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