技术编号:6952502
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种III族氮化物半导体激光器元件以及III族氮化物半导体激光器元 件的制作方法。背景技术在非专利文献1中公开了在C面蓝宝石基板上制作的半导体激光器。通过干法 蚀刻形成半导体激光器的镜面。登载了激光器谐振镜面的显微镜照片,并记载了该表面 的粗糙度约为50nm。在非专利文献2中公开了在(11-22)面GaN基板上制作的半导体激光器。通过 干法蚀刻形成半导体激光器的镜面。在非专利文献3中公开了氮化镓类半导体激光器。为了将m面作为解理面 (cleave...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。