技术编号:6952768
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及。技术背景太阳电池将光能变换为电能,根据使用的半导体而提出了各种各样的构成。近 年,制造工序简单且可期待高变换效率的CIGS型的太阳电池受到关注。CIGS型的太 阳电池例如包括基板上形成的第1电极膜;第1电极膜上形成的包括化合物半导体 (铜-铟-镓-硒化合物)层的薄膜;以及在该薄膜上形成的第2电极膜。在去除了薄 膜的一部分的槽内形成第2电极膜,使第1电极膜和第2电极膜电连接。(例如,参照专 利文献1)。专利文献1特开2002-319686号公报上...
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