技术编号:6952772
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种射频LDMOS器件的制备方法。 背景技术LDMOS器件是目前射频工艺中的常用器件之一。基于LDMOS器件可以形成低成本、 高性能和高集成度的射频LDMOS结构,被应用于高频通信领域以及其他对于速度要求很高的领域。图1所示为传统的射频LDMOS结构。为了提高器件的响应频率,提高工作频率,加快载流子迁移是一个主要的技术难点。传统射频LDMOS工艺为了获得较高工作频率,需要在栅上作金属化。而对于小尺寸的栅来说,用版图来定义钛合金区域会有光刻套偏的问...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。