技术编号:6952844
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造工艺,特别涉及。 背景技术由于金属氧化物半导体场效应管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor MOSFET)的栅极与漏极之间有很大的重叠处,如图1所示,图中虚线标识的位置为重叠处,当栅极100加电压之后,漏极101中重叠位置处由于栅极100电压的作用会产生空穴(NM0S为例),形成的空穴102将穿过耗尽区向衬底103中移动,形成衬底电流,这个电流叫做栅极感应漏极泄漏(Gate...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。