技术编号:6953029
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种降低射频LDMOS器件中栅电阻的方法。 背景技术DMOS是目前RF射频工艺中的常用器件之一。基于LDMOS可以形成低成本,高性能高集成度的RFLDM0S被应用于高频通信领域以及其他对于速度要求很高的应用领域。普通的RFLDM0S结构如图1所示。为了提高器件的响应频率,如何提高工作频率,降低栅电阻是一个很难的问题,目前在栅上作钛合金工艺,即使是全自对准工艺,工艺较为复杂,并且由于材料电阻率的原因,相比纯金属栅电阻较大,不能满足射频类LDMOS的...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。