技术编号:6953066
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造,特别涉及一种。 背景技术在目前的半导体产业中,集成电路主要可分为三大类型模拟集成电路、数字集成电路和数/模混合集成电路。作为数字集成电路的一个重要类型,存储器件,尤其是快闪存储器(flash memory,简称闪存)的发展尤为迅速,主要因为闪存具有在不加电的情况下能长期保存信息、且具有集成度高、存取速度快、易于擦除和重写等优点。专利号为ZL99106789. 4的中国专利,即公开了一种快闪存储器及其制造方法。如图1所示,现有的快闪存储...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。