技术编号：6953067
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体，特别涉及。 背景技术薄膜形成工艺是半导体器件制作过程中的重要工艺之一。现有薄膜形成工艺通常利用氧化设备、快速氧化设备、外延设备、化学气相沉积设备在晶片上形成具有一定厚度的薄膜。具体地，以化学气相沉积设备为例，晶片置于所述化学气相沉积设备的腔室 (chamber)中，通过加热使晶片的温度达到一定值000 1200摄氏度)，然后，通入多种源气体，所述多种源气体之间发生化学反应，在晶片表面形成薄膜。现有的化学气相沉积设备具有多个加热模块，多个加...
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