技术编号:6953083
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体设备以及在半导体设备的基片上图案化树脂绝缘层的方法。背景技术如在例如JP-3069468中公开的,公知地,使用化学反应的光刻术用来选择性地移 除半导体设备比如金属氧化物半导体(M0Q设备的绝缘层以在绝缘层中形成孔。尤其,在比如功率晶体管之类的半导体设备中,树脂绝缘层用来电隔绝基片表面 上的电极和引线图案。树脂绝缘层通过光刻术中的曝光、显影和蚀刻工艺来图案化。然而 这种方法会涉及以下问题1.绝缘层越厚,蚀刻绝缘层所需的时间就越长。2.在绝...
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