技术编号:6953661
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及用于防止产生栅极引发漏极漏电(GIDL)以改善半导体器件的刷新 (refresh)特性的。背景技术一般来说,半导体存储器件由多个单位单元(cell,又称为晶胞)构成,每个单位单元包括一个电容器和一个晶体管。电容器用来暂时存储数据,晶体管利用半导体随环境而改变电导率的特性根据控制信号(字线)在位线与电容器之间传递数据。晶体管由包括栅极、源极和漏极在内的三个区域构成。根据输入至栅极的控制信号,在源极与漏极之间转移电荷。利用半导体的特性通过沟道区来实现...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。