技术编号:6953990
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体器件结构,尤其是一种LDMOS器件结构。本发明还涉及一种半导体器件的制作方法,尤其是一种LDMOS器件结构的制作方法。背景技术LDMOS是目前RF射频工艺中的常用器件之一。基于LDMOS可以形成低成本,高性能高集成度的RFLDM0S被应用于高频通信领域以及其他对于速度要求很高的应用领域。普通的RFLDM0S结构如图1所示。为了提高器件的响应频率,如何降低绝缘区的寄生电容是一个主要的技术难点。为了降低绝缘区的寄生电容,通常的做法是大幅度增...
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