技术编号:6954008
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及,特别涉及在碳化硅(SiC)衬底上的氧化工序中提供降低SiC衬底和氧化膜界面的界面能级并且可靠性较高的氧化膜的方法。背景技术对于碳化硅(SiC)来说,绝缘击穿电场强度(dielectric breakdownf ield strength)比硅(Si)大1个数量级左右,因此,用于保持耐压的漂移层与Si的情况相比,能够薄到1/10,能够降低功率器件的损失。但是,在SiC的硅面与碳面,表现由于结晶的离子性或键合顺序(bond sequence) 的不...
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