技术编号:6954018
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体器件,尤其是一种具有垂直沟道结构的场效应晶体管,以 及它的制备方法。背景技术垂直沟道场效应晶体管(vertical FET)技术是一种新的实现小尺寸场效应晶体 管(MOSFET)的方法。垂直沟道场效应晶体管的沟道长度并非由光刻直接定义,而是由硅台 刻蚀、离子注入或者外延来决定的,所以无需借助复杂的光刻手段就很容易实现短沟道器 件的制作,并且其工艺和平面MOSFET技术也完全兼容。垂直沟道器件被学术界和工业界认 为是继平面MOSFET之后...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。