技术编号:6954031
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明的方面涉及形成多晶硅层的方法、具有该多晶硅层的薄膜晶体管、具有该 薄膜晶体管的有机发光二极管(OLED)显示装置以及制造薄膜晶体管和有机发光二极管显 示装置的方法,更具体地讲,涉及一种使用金属催化剂使非晶硅层晶化的方法,该方法通过 以线性图案刻划缓冲层、非晶硅层或覆盖层来控制金属硅化物,从而控制多晶硅层的晶体 生长。背景技术通常,用于薄膜晶体管(TFT)的半导体层的多晶硅层具有各种优点,诸如强电场 效应的迁移率、适于高速运行电路且实现互补金属氧化物半...
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