技术编号:6954205
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体,更为具体的,本发明涉及一种分裂栅存储单元的有源区接触孔制作方法。背景技术非易失性存储器件典型地分类为NAND型和NOR型,分别具有高度集成以及高速工作的特点。其中NOR型非易失性存储器件中,多个存储单元由一条字线所控制读写,单个存储单元连接在位线以及公共源极线之间。NOR型非易失性存储器件具有高存储器单元电流且能够高速工作的优点。但是其公共源极线以及字线等占据器件的较大面积,对高密度集成造成了困难。为了解决上述问题,现有一种称为分裂栅型架...
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