技术编号:6954259
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及的是一种太阳能应用的方法,具体是一种基于氢化微晶硅薄 膜的晶体硅异质结太阳电池的制备方法。背景技术二十一世纪,能源危机和环境污染已经成为全球关注的问题。开发绿色能源成为 解决能源危机的主要方法。其中太阳电池的发展随着全球对于新能源开发的重视而有长足 的进步,无论是晶体硅电池还是薄膜电池,降低成本、提高效率是其发展的主流方向。晶体 硅电池的成本受到硅材料的限制,成本降低的空间有限;薄膜电池由于转换效率低并且易 受到S-W效应的影响导致其稳定性较差。...
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