技术编号：6954266
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术，特别涉及一种。 背景技术随着半导体制造工艺的发展，半导体器件尺寸缩小带来了相对接触电阻的提升， 为了降低相对接触电阻，金属硅化物(salicide)的形成工艺得到了广泛的应用。图Ia 图6a为现有技术中的过程剖面示意图，该方法主要包括步骤101，参见图la，提供一半导体衬底1001，在半导体衬底1001表面生长栅氧化层1002，并淀积多晶硅1003，利用光刻、刻蚀和离子注入等工艺形成栅极结构。本步骤中，首先进行栅氧化层1002的生长...
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