技术编号:6954304
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体集成电路器件,特别是涉及一种静电保护二极管。 背景技术静电对于电子产品的伤害一直是不易解决的问题,尤其是在高频电路的应用中。 为了不影响产品的正常工作性能,电路的输入输出端口不仅需要静电保护器件具有较强的电流泻放能力,又需要其本身的寄生电容竟可能小。现如今较为常见的高频电路中,高频电路的输入输出端口常采用如图1所示现有静电保护电路,现有静电保护电路包括了二极管 1和二极管2,所述二极管1为N+/P阱二极管,所述二极管2为P+/N阱二极管...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。