技术编号：6954315
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种锗硅监控片的制备方法。本发明还涉及一种监控锗硅薄膜的方法。背景技术Si是目前大规模生产的半导体器件最主要的材料之一，它具有原材料制备简便， 自然界含量丰富，具有半导体特性等基本特性而被用于制备半导体器件。但是对于高频高速应用，Si的禁带宽度较宽，载流子的迁移速度受到制约，因此人们通常引入一些其它元素形成Si的合金来减低禁带宽度，提高载流子的迁移速度，其中 Ge是最重要和主要的材料之一。Ge具有和Si类似的晶体结构，与Si形成合金工艺容易实现且...
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