技术编号:6954339
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造,更具体地说,涉及一种小尺寸MOS器件制造方法。背景技术随着ICantegrated Circuit,集成电路)制造工艺/设备的不断发展,IC的集成度越来越高,这就要求各类MOS器件的尺寸更加小型化。半导体器件制造过程中,MOS器件的制造工艺流程一般有如下几个步骤(以NMOS 为例来说明)(1)在衬底上生长屏蔽氧化层;(2)进行P型离子注入,形成P阱;(3)生长栅氧化层;(4)多晶硅淀积、光刻、刻蚀,形成栅区;(5) NLDD (N型轻...
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