技术编号:6954669
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体制造技术范围,特别涉及在半导体晶圆片进行激光退火过程中 引入多梯度温度场的一种。背景技术在半导体制造过程中,为了调节硅片表面局部区域的导电特性,广泛采用离子注 入技术,对硅片表面的特定区域进行杂质掺杂。离子注入之后,由于所掺杂杂质原子处于硅 晶格中缺陷的状态,一般需要进行退火的处理,一方面消除掺杂对于半导体材料晶格造成 的损伤,另一方面能够有效地激活掺杂杂质。传统的退火采用热作用的方式进行,例如将待退火的硅片放置于高温炉管中的常 规热退火方...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。