技术编号:6954690
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种,特别涉及一种于基板沟槽中形成外延 层的。背景技术当例如一金属氧化物半导体场效应晶体管(以下简称M0SFET)的一半导体装置 在历经许多工艺节点的尺寸微缩时,使用高介电常数(high-k)栅极介电层和金属栅极以 形成栅极堆叠结构。可使用利用硅锗或碳化硅外延薄膜以增强载子迁移率。另外,沟道后 置积集工艺(channel-last integration schemes)也会要求低镕化温度的例如砷化铟或 锑化铟的三-五族高迁移率沟道材料,以避免形...
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