技术编号:6954692
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种,特别涉及一种半导体装置的介电层(例如一场效应晶体管的一栅极介电层)的形成方法。背景技术当一些集成电路(IC)设计的技术节点微缩时,会致使想要以一金属栅极取代一公知多晶硅栅极以在微缩元件尺寸时改善元件性能。用于形成一金属栅极结构(例如具有一金属栅极)的一工艺可称为一“栅极后置(gate last)”工艺,其中于“最后”形成最终的栅极堆叠结构。上述工艺可减少包括必须于形成栅极结构之后进行的高温工艺的后续工艺数目。当晶体管的尺寸持续微缩时通常需要...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。