技术编号:6954698
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本文件通常涉及电子器件,并且更具体地,涉及形成半导体器件的方法。 背景技术过去,半导体工业使用不同的器件结构和方法来形成绝缘栅场效应晶体管 (IGFET)器件。垂直功率IGFET器件的一个特殊的结构使用形成于器件的有源区中的沟槽。 那些沟槽的一部分被配置为器件的栅极区。这些晶体管中的一些还具有屏蔽导体或场板, 其被连接于源极并且被配置为帮助提高阻断电压性能并降低器件的栅极到漏极电容。为了使场板对器件性能产生有利的影响,需要非常紧凑的几何结构。过去利用沟 槽...
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