技术编号:6954914
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。背景技术本文描述了一种用于除去基片包括绝缘基片表面上金属氧化物的方法。本文还描 述了用于除去基片表面上金属氧化物的装置。晶片凸起(wafer bumping)是在芯片焊接区(chip bond pad)上制备厚金属凸起 用于内部引线焊接(lead bonding)的方法。该凸起通常通过在焊接区上沉积焊料,然后回 流(reflow)(这里指首次回流)以进行合金化并且将焊料凸起的形状由蘑菇状变成半球状 而制得。具有首次回流凸起的芯片被“轻碰(flipped),...
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