技术编号:6955146
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种形成金属硅化物的方法。特别是涉及一种,以避免金属硅化物的管状钻出(piping)而造成漏电流的问题。背景技术半导体装置广泛使用于各种电子产品中,例如电脑或是移动电话...等物件。简单来说,一个典型半导体元件是在硅基材上建立栅极,并在栅极两边的硅基材中,经由离子注入方法建立具有掺质的源极与漏极。栅极、源极与漏极一起即共同组成了一个典型半导体元件。此时,半导体元件中的栅极、源极与漏极尚需与外部电路形成电连接。一般说来, 由于金属具有极低的电阻,通...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。