技术编号:6955438
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体工艺控制技术,特别是涉及一种传输腔室的压强控制方法、装置及等离子体设备。背景技术半导体加工工艺中,一般通过刻蚀机设备对硅片进行加工处理。刻蚀机设备的传输腔室(TC,Transfer Chamber))是整个刻蚀设备中十分重要的部分,其负责将硅片传输到反应传输腔室中,是硅片在各个反应传输腔室值之间进行传输的必经之路。在理想的工作状态下,传输腔室需要保持真空状态,因此,其传输腔室内气压很低,但是硅片在反应传输腔室中完成工艺处理之后,会产生具有污...
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