技术编号:6955444
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种MOS器件的制备方法,具体是一种利用原子层沉积技术在S-钝 化的n-GaAs衬底上制备MOS器件的方法。背景技术随着器件的尺寸持续缩小,发展与现存金属-氧化物-半导体场效应管 (Metal-oxide-semiconductor field-effect transistors, MOSFETs)工艺兼容的栅介电薄膜制备技术,是微电子领域的一个重要任务。原子层沉积技术(Atomic Layer Deposition, ALD)是一种可对膜厚进...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。