技术编号：6955461
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及电力电子，尤其涉及适合应用于直流电压为600V及以上的 变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域的绝缘栅双极晶体管。背景技术绝缘栅双极晶体管(IGBT)主要由集电区、发射区、沟道区及漂移区等组成，通过 对栅极加正电压形成导电沟道使IGBT导通，同时集电区向漂移区注入空穴进行电导调制， 使绝缘栅双极晶体管在高电压时，相比如以往功率MOS器件，具有较低的通态压降。但市场现有的绝缘栅双极晶体管都存在着耐压能力与通态压降相矛盾的情况...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。