技术编号:6955555
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造,特别涉及一种。背景技术随着半导体技术的不断发展,集成电路集成化程度越来越高,器件的尺寸也不断减小。然而器件尺寸的不断减小导致器件的性能也受到很大的影响。例如,当沟道的长度缩小到50nm之下时,器件开始表现出短沟道效应,包括载流子迁移率下降、阈值电压增大以及漏感应势垒下降(DIBL)等问题。为了减少由于尺寸缩小造成的问题,可以通过应力技术来改善沟道区的应力,从而提高载流子的迁移率,提高器件的性能。具体是通过使金属-氧化物-半导体场效应管...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。