技术编号:6955616
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种作为接合型器件之一的,特别是 涉及一种适合抑制在发射极-基极之间半导体表面的电子和空+穴的复合、提高电流放大 率的。背景技术半导体碳化硅(Silicon carbide, SiC)由于其带隙能量(Band gapenergy)较大 等原因,与当前被广泛应用的硅相比,更适合于高电压工作、大电力工作以及高温工作,可 以适用于功率器件(Powerdevice)等。现在,SiC功率器件研发正在积极进行,其结构主要 可分为MOS型器件和接合型器件(双极...
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