技术编号:6955622
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体集成电路制造领域,特别是涉及一种。 背景技术对于RF噪声测试,测试结构中的压焊块(I^d)及连线的寄生电阻、电容、电感会对测试结果造成比较大的影响。为了得到精确的被测试器件结构(Device Under Test, DUT)的噪声参数,需要将这些寄生效应去除,即需要去嵌入(De-embedding)。现有技术中应用最多的是如文献《C. H. CHEN and Μ. J. DEEN,” High frequency Noise of Mosf...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。