技术编号：6955745
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明用于半导体光电子器件制造，具体涉及到一种新型的栅极调制垂 直结构GaN基发光二极管的器件结构和制备方法。背景技术GaN基半导体是新型的宽禁带直接带隙半导体材料，具有优异的物理、化学性质。 基于InGaN量子阱结构的大功率LED是当前半导体光电子研究领域的热点和相关产业发展 龙头。当前III族氮化物在彩色显示、装饰照明灯诸多领域得到了广泛应用。量子阱发光结构是量子物理在光电子领域应用的典型范例，当量子阱厚度减小到 纳米量级后，载流子态密度呈阶梯状分布，...
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