技术编号：6956030
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造，更具体地说，涉及一种。 背景技术在半导体晶片的制造过程中，要尽量避免晶片表面缺陷的产生，传统的化学处理过程在晶片表面产生的水迹就是表面缺陷的一种。通常，一个表面覆盖一层氧化物的半导体晶片经过湿法化学处理后，如采用稀释的氢氟酸溶液浸渍后，该半导体晶片表面会存在裸露的硅区域，之后还要采用去离子水冲洗该半导体晶片，以去除上一步化学处理后晶片表面残留的化学药液。然而，晶片表面裸露的硅在与去离子水接触时能够溶解，并在溶液中形成反应产物Si (O...
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