技术编号:6956439
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及氮化物半导体晶体、氮化物半导体自支撑衬底的制造方法以及氮化物半导体器件;进一步具体涉及可取得多张氮化物半导体自支撑衬底的氮化物半导体晶体、 从氮化物半导体晶体制造氮化物半导体自支撑衬底的氮化物半导体自支撑衬底的制造方法,以及使用氮化物半导体自支撑衬底而制作的氮化物半导体器件。背景技术对于氮化镓(GaN)、氮化铝镓(AWaN)、氮化铟镓(InGaN)等所代表的氮化物半导体而言,作为覆盖从紫外到绿色为止的波长区域的发光器件材料或作为高温工作、高输出工...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。