技术编号:6956527
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及横向扩散金属氧化物半导体(LDM0Q晶体管,并且更具体地说,涉及 具有不对称导电间隔物充当门极的LDMOS晶体管。背景技术LDMOS晶体管常规上包括封闭于两个绝缘间隔物之间的导电门极、源区、漏区、沟 道区和漂移区。将正电位施加于该门极,从而使得电子通过LDMOS晶体管的沟道区从源区 流至漏区。由于间隔物的绝缘性质,其并不充当门极部分,并且门极电压仅可通过门极来施 加,而不通过间隔物来施加。图1中示出如上所述的常规LDMOS晶体管100。LDMOS...
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