技术编号：6956664
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体，特别涉及。 背景技术金属-氧化物-半导体(MOS)晶体管是半导体制造中的最基本器件，其广泛适用于各种集成电路中，根据主要载流子以及制造时的掺杂类型不同，分为NMOS和PMOS晶体管。现有技术提供了一种MOS。请参考图1至图3所示的现有技术的MOS剖面结构示意图。请参考图1，提供半导体衬底100，在所述半导体衬底100内形成隔离结构101，所述隔离结构101之间的半导体衬底100为有源区，在所述有源区内形成掺杂阱(未示出)。然后，在所述隔离...
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