技术编号：6956859
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体基板制作工艺中微影工艺的光阻层蚀刻方法，特别是涉及一种可以微调光罩图案的临界尺寸的半导体蚀刻方法。背景技术半导体装置及其特征的临界尺寸(CD)和几何形状相比较于数十年前最初导入时已经在尺寸上大幅减小。因此半导体装置制作工艺的一个重要部分是如何准确地在此装置基板之上的薄膜进行图案化。在传统的技术中，这样的薄膜图案化是使用气体的化学反应在一半导体晶圆上进行。当图案化此薄膜时，希望能够尽量减少宽度及其他重要尺寸的变动。这些临界尺寸变动的错误会...
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