技术编号：6956898
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件制造技术，特别涉及一种提高晶圆上源漏极退火时工作电流均勻性的方法。背景技术在半导体器件制造的前段工艺中，包括对半导体器件的源漏极退火的工序。具体地，就是对半导体衬底进行源漏极的离子注入后，将源漏极的温度迅速升高到一个高温，然后维持源漏极在该高温预定时间，最后将源漏极从该高温迅速降下来的的过程。通过退火过程可以控制半导体器件的工作电流，工作电流要求有一定的规格，不符合规格的工作电流，其半导体器件是失效的。所述半导体器件是否失效，即工作电流...
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