技术编号:6956914
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体发光器件,尤其涉及一种光子晶体微腔激光器。技术背景基于光子晶体的微腔结构,能够实现高品质因子⑴值)和高辐射增强因子,能够 实现更高的能量转换效率。由于半导体加工工艺的限制,目前研究较多的是垂直方向上有 限厚度的二维平板光子晶体微腔结构,常见的有正六边形Hn (微腔边长为η个光子晶体晶 格常数)、Ln(η表示微腔中去掉空气孔的个数)两种。其中,Hl和L3是研究较多的两类最 简单的微腔,通过改变微腔附近空气孔的结构参数或者移动其位置,可以获得Q...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。