技术编号:6957065
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种单晶硅,尤其涉及该单晶硅的背封结构。 背景技术发展硅外延的主要动机是为了改善双极型晶体管及后来的双极型集成电路的性能。外延层是具有一定结晶取向的原有晶体(一般称为衬底)上延伸出并按一定晶体学方向生长薄膜的方法,这种单晶层称为外延层。外延生长与从熔体中直接拉制体单晶(衬体)相比较有以下优点1.可在低于衬底熔点的温度下生长半导体单晶薄膜;2.可以生长薄层、异质外延层和低维结构材料;3.可以生长组分或杂质分布陡峭或渐变的外延层;4.可以在衬底指...
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