技术编号:6957261
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造技术,尤其涉及一种PMOS晶体管的形成方法。 背景技术由于应力可以改变硅材料的能隙和载流子迁移率,因此通过应力来提高MOS晶体管的性能成为越来越常用的手段。通过适当控制应力,可以提高载流子(NM0S晶体管中的电子,PMOS晶体管中的空穴)迁移率,也就提高了驱动电流,因而应力可以极大地提高MOS 晶体管的性能。现有技术中,双应力衬垫技术在NMOS晶体管上形成张应力衬垫层(tensile stress liner) , PMOS(comp...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。