技术编号:6957280
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体组件的制造方法,特别是涉及一种及沟填方法。背景技术随着半导体技术的进步,元件的尺寸也不断地缩小,为了防止相邻的元件之间发生短路的现象,因此元件与元件之间的隔离则变得相当重要。元件之间的隔离技术比较普遍的是区域硅氧化法(local oxidation ofsilicon, L0C0S)。然而,局部硅氧化法具有多项缺点,包括因产生应力所衍生出的相关问题,以及形成于隔离结构周围的鸟嘴区(bird's beak)等。因此,取而代之的方法为浅沟渠...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。